Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N
Transistors MOSFET de la puissance SIHF10N40D-E3
,Transistor de la Manche de N
,Semi-conducteurs discrets SIHF10N40D-E3
Le transistor de canal des transistors MOSFET N de la puissance SIHF10N40D-E3 fonctionne en mode d'amélioration
La dissipation de puissance maximum du SIHF10N40D-E3 de Vishay est 33000 mW. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.
Ce transistor de transistor MOSFET a une température de fonctionnement minimum du °C -55 et un maximum de 150 °C.
Si vous devez amplifier non plus ou commuter entre les signaux dans votre conception, alors le transistor MOSFET de puissance du SIHF10N40D-E3 de Vishay est pour vous.
Spécifications techniques de produit
UE RoHS | Conforme |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
HTS | 8541.29.00.95 |
Des véhicules à moteur | Non |
PPAP | Non |
Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
Configuration | Simple |
Mode de la Manche | Amélioration |
Type de la Manche | N |
Nombre d'éléments par puce | 1 |
Tension maximum de source de drain (v) | 400 |
Tension de source de porte maximum (v) | ±30 |
Tension maximum de seuil de porte (v) | 5 |
Drain continu maximum (a) actuel | 10 |
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) | 100 |
IDSS maximum (uA) | 1 |
Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 600@10V |
Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 15@10V |
Charge typique @ 10V (OR) de porte | 15 |
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 526@100V |
Dissipation de puissance maximum (mW) | 33000 |
Temps typique d'automne (NS) | 14 |
Temps de montée typique (NS) | 18 |
Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 18 |
Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 12 |
Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
Paquet de fournisseur | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Nom de forfait standard | TO-220 |
Support | Par le trou |
Taille de paquet | 16,12 (maximum) |
Longueur de paquet | 10,63 (maximum) |
Largeur de paquet | 4,83 (maximum) |
La carte PCB a changé | 3 |
Étiquette | Étiquette |
Forme d'avance | Par le trou |
Numéro de la pièce | SIHF10N40D-E3 |
Numéro de la pièce bas | SIHF10N40 |
UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
HTS | 8541.29.00.95 |
Plus de numéro de la pièce pour le semi-conducteur général :
Numéro de la pièce | MFG | Type de Packge |
JW1060 | JuWell | SOP8-E |
SL1053 | SILAN | SOP8 |
ST8550D | St | TO-92 |
SS8050DBU | St | TO-92 |
PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
PC123F | DIÈSE | DIP-4 |
OB2353 | OB | SOP-8 |
NE555P | St | DIP-8 |
MC34063 | SUR | SOP-8 |
LM7806 | St | TO-220 |
LM78051A | St | CONCESSION |
LM358 | St | SOP-8 |
LM339 | St | CONCESSION |
LM324 | St | SO-14 (SMD) |
LM2575T | St | TO-220 |
LM 7815 | St | TO-220 |
LL4148-GS08 | St | LL34 |
L7812CV | St | TO-220 |
KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
IRFP460 | IR | TO-247 |
IRF840 | IR | TO-220 |
HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
IRFR9024N | IR | TO-252N |
BAV99 | Philip | SOT-23 |
BA033ST | ROHM | SOT252 |
AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
93LC66B | PUCE | DIP-8 |
93LC46 | PUCE | DIP-8 |
93C46B | PUCE | SOP-8 |
78L05 | St | TO-92 |
78L05 | St | SOT89 |
74HC4066D | Philip | SMD |
74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
74HC164 | Philip | CONCESSION |
24LC128 | PUCE | DIP-8 |
24LC08B | PUCE | DIP-8 |
1N5822-B | diodes inc. | DO-201AD |
MC1413DR2G | SUR le semi-conducteur | SOP-16 |
HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |